Разработана технология производства электронных схем, обеспечивающая точность в один микрон

07.09.2016
от

Исследовательская группа из международного исследовательского центра MANA (International Center for Materials Nanoarchitectonics), возглавляемая Такео Минари (Takeo Minari), разработала технологию печати, при помощи которой можно формировать электронные схемы и элементы тонкопленочных транзисторов (thin-film transistor, TFT), толщина которых и промежутки между которыми составляют 1 мкм. Используя эту технологию, исследователи создали электронную схему, содержащую полностью органические тонкопленочные транзисторы с длиной канала в 1 мкм, и продемонстрировали работоспособность данной схемы.

Печать электроники — это один из наиболее перспективных видов производства электронных устройств при помощи материалов, растворенных в чернилах. Особе внимание к этому методу привлекает то, что он позволяет производить гибкие электронные устройства в рулонных масштабах при достаточно низкой стоимости. По сравнению с традиционными методами изготовления электроники, которые обеспечивают разрешающую способность в десятки микрометров, технологии печати обеспечивают минимум в десять раз более высокую разрешающую способность, что позволяет изготавливать при их помощи сверхминиатюрную электронику.

В основе новой технологии печати лежит метод, позволяющий сформировать на поверхности основания гидрофильные и гидрофобные области. Делается это при помощи вакуумирования и освещения ультрафиолетовым светом с длиной волны не более 200 нм. На гидрофильные области поверхности наносятся чернила DryCure-Au, наполненные металлическими наночастицами. Вторичная обработка чернил сфокусированным ультрафиолетовым светом позволяет превратить чернила в металлическую токопроводящую пленку, а возможности источника света PVUV компании Ushio Inc. позволяют получить элементы, размеры которых равны 1 микрометру.

Такая точность изготовления, которая недостижима для других методов печати электроники, позволяет изготовить тонкопленочные органические транзисторы, параметры которых находятся в одном и том же диапазоне. Подвижность электронов в таких транзисторах с длиной канала в 1 мкм составляет около 0.3 см^2/(В*с), что является наилучшим таким показателем среди всех подобных транзисторов.

В ближайшем времени исследователи собираются использовать разработанную ими технологию печати для изготовления электронных устройств с большой площадью, таких, как гибкие дисплеи и датчики. Помимо этого, в процессе печати можно применять биологически совместимые материалы, благодаря чему электронные устройства могут быть использовать в областях биоэлектроники и медицине.

Комментарии закрыты.